等离子蚀刻机的一般用途是：半导体/集成电路；氮化硅；氮化铝镓/氮化硅；氢化镓/氢化铝镓；氢氧化镓；InP InGaAs / InAlAs；硅；硅锗；硅氮化硅陶瓷（Si3N4）；溴化硅；溴化氢；硅硒 (ZnSe)；金属；铝；铬；铂；钼；铌；钽；钛；钨；电介质；铟锡氧化物；锆钛 (PZT)；碳化硅；塑料/聚合物；聚四氟乙烯 (PTFE)；聚甲醛 (POM ); 聚苯并咪唑 (PBI); 聚醚醚酮 (PEEK); 聚酰亚胺 (Polyamide); 聚酰胺 (Nylon); 全氟烷氧基烷烃 (PFA) 聚全氟乙烯丙烯 (FEP); 聚烯烃; 聚酯等。
损坏；使用各向异性蚀刻时两种工艺中的 CD 损失（例如，钛 亲水性由于 C4F8 / Ar 用于氧化硅蚀刻，Cl2 / N2 用于氮化钛蚀刻，低压、高偏置功率）、氮化钛 两种轮廓形状都非常出色，副作用是基材损失严重。在去除有机衬底材料之后，各向异性氧化硅蚀刻去除沟槽上方和下方的膜，在侧壁上留下残留物，尤其是在角落。
损坏；使用各向异性蚀刻时两种工艺中的 CD 损失（例如，六铝四钒钛 亲水性由于 C4F8 / Ar 用于氧化硅蚀刻，Cl2 / N2 用于氮化钛蚀刻，低压、高偏置功率）、氮化钛 两种轮廓形状都非常出色，副作用是基材损失严重。在去除有机衬底材料之后，各向异性氧化硅蚀刻去除沟槽上方和下方的膜，在侧壁上留下残留物，尤其是在角落。
ZHOU等人以介质阻挡放电的形式实现了二氧化碳复合CH4反应。当注入能量为87KW.H/(N·M3)时，六铝四钒钛 亲水性甲烷转化率为64%，碳转化率为64%。二氧化碳为54%。 GALLON 等人和 PINHAO 等人分别研究了在 DBD 放电等离子清洗机作用下 CH4 和二氧化碳的复...